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XX公司制程检验规范文件编号FJSWW085发光二极管版次页次5-11适用范围:本标准适用于发光二极管固晶工序的检验。2检验项目:资料检验、外观检验两大类共27个项目。其中,资料检验全检,外观检验的混料、漏固两个项目全检,其它项目抽检。全检采用目测方式,抽检在显微镜下进行。3设备、仪器及工具:显微镜、镊子、针笔4检验规则:4.1批的组成:由同一作业员在同一班次所作业的同一机种、同一批号,并按规定数量(具体规定见表一(固晶检验的批量要求)放置于同一转料盘中的材料,即可组成一个检验批。由同一作业员作业的每个班次的最后一盘或每个批号的最后一盘如数量不够规定要求,也可组成一个检验批。
.2检验顺序:先全检项目,后抽检项目。
.3抽样:抽检项目根据固晶检验抽定表(表二)抽样。
.4检查:将待检材料按检验规格进行检查,并分别累计全检部分和抽检部分各类不合格品的数量以作为判定依据,不合格品以晶粒为计数单位,一个晶粒同时有几种不合格,仍记为一个不合格品。检验材料的不合格品由QC退回作业员返修。
.5判定:同一检验批的全检部分和抽检部分根据检查结果与固晶检验抽定表(表二)分别进行判定,只有某个检验批的全检部分和抽检部分均判为合格时,该批才能判为合格,否则,为不合格。
.允收水准:致命缺陷CR:.25主要缺陷MA:.65次要缺陷M:2.5编制审核批准发光二极管文件编号FJSW-W085版次页次5-2深圳市XX公司制程检验规范表一:固晶检验的批量要求支架发光二极管2024批量(K)20表二:固晶检验抽定表批量范围(PCS)抽检样本数(PCS)抽检判定数(ea)CR.25MA.65M
.5累计
.51150全检0,11,22,32,315XXXX0800,11,25,65,650XXXX0250,12,37,87,812XXXX0001,23,410,1110,113XXXX3152,35,614,1514,151XXXXXXX,47,821,2221,223XXXX500008005,610,1121,2221,2XXX,814,1521,2221,225XXXX2024,1121,2221,2221,22编制审核批准发光二极管文件编号FJSW-W085深圳市XX公司制程检验规范深圳市XX公司制程检验规范
检验规格:检验项目规格说明版次页次判定图示5-3资料检验资料不明无流程单或流程单上缺机种、数量、日期、工号的标注CR资料不符支架、晶粒、型号与流程单不符CR混料混有其它机种的材料CR漏固固晶区点过银胶,但无晶粒,也无固晶痕迹CR支架固晶区无晶粒也无点银胶痕迹CR外观检验脱落错固多固支架沾胶混晶支架变色固晶点无晶粒,但有固晶痕迹晶粒型号错误固晶位上有多余晶粒支架阴阳表面沾有银胶同一条支架混有两种或两种以上的晶粒支架有明显易见发黄CRCRMACRMA深圳市XX公司制程检验规范深圳市XX公司制程检验规范Ml支架杂物支架阴阳极端面及侧面有杂物MAMl支架严重变形5支架变形支架轻微变形v5审核批准编制深圳市XX公司制程检验规范深圳市XX公司制程检验规范发光二极管文件编号FJSW-W085版次页次5-4
检验规格:检验项目判定规格说明晶粒倒置晶粒焊线点朝下CR晶粒倾倒位偏旋转悬浮倾斜晶粒焊线点朝侧面CR图示偏移距离晶粒宽度v晶粒中心与碗底中心偏移v晶粒宽度晶粒中心与碗底中心偏移晶粒宽度晶粒水平旋转大于5晶粒未与支架碗底紧密接触,间隙大于晶粒高度晶粒底部至少一边未与支架碗底紧密接触,所成夹角小于3vO5夹角大于5MlMAMAMAMlMA偏移距离5深圳市XX公司制程检验规范M0MACRCR外MA观trMA检验rtMAMAMAM高于晶粒高度检验项目判定规格说明图示晶粒破损面积w晶粒宽度且有残屑晶粒破损晶粒破损面积超过晶粒宽度晶粒崩裂晶粒有明显可见的裂缝焊垫氧化晶粒上有不良标记,如红点、黑点银胶变质银胶变质或搅拌不均,出现散胶银胶过多,任一侧面的银胶超过高度的焊垫残缺焊垫残缺范围超过垫极的50%银胶侧面沾胶超过晶粒高度以上部位沾有银胶氧化面积大于50%银胶胶量不符要求残缺面积大于50%银胶过少,应四面有胶,至少三面银胶不低于晶粒有不良标记焊垫表面氧化变色,且氧化范围超过有一面无银胶低面银胶红占或黑占八、八、编制审核批准发光二极管文件编号FJSW-W085版次页次5-5
检验规格:深圳市XX公司制程检验规范表面沾胶晶粒表面沾有银胶MA银胶编制审核批准
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