计算机组成原理实验报告二半导体存储器原理实验

半导体存储器原理实验

一、实验目的：

1、掌握静态存储器的工作特性及使用方法。

2、掌握半导体随机存储器如何存储和读取数据。

二、实验要求：按练习一和练习二的要求完成相应的操作，并填写表

2.1各控制端的状态及记录表

2.2的写入和读出操作过程。

三、实验方案及步骤：丄、按实验连线图接线，检查正确与否，无误后接通电源。

2、根据存储器的读写原理，按表

2.1的要求，将各控制端的状态填入相应的栏中以方便实验的进行。

3、根据实验指导书里面的例子练习，然后按要求做练习

一、练习二的实验并记录相关实验结果。

4、比较实验结果和理论值是否一致，如果不一致，就分析原因，然后重做。

四、实验结果与数据处理：(1)表

2.1各控制端的状态控制信号写地址写内容读内容SW-B001LDAR100CE100WE_10练习操作数据1：（AA）=（10101010）216写入操作过程

1）写地址操作：应设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUTDEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000000即可。应设置有关控制端的开关状态：先在实验仪SWITCHUNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0,打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,于片选信号（CE）,写命令信号（WE）任意，即CE=

1.WE=0或1。应与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按下微动开关START即可。应于AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0o2）写内容操作：应设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUTDEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为10101010o应设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCHUNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0,于地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0,打开片选信号（CE）和写命令信号（WE）,即CE=0,WE=lc应与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000000地址单元中：再按下微动开关START即可。应于片选信号和写命令信号：即CE=15VE=0。读出操作过程

1）写地址操作：参考写入操作的写地址操作2）读内容操作：于输入三态门控制端，即SW-B=1地址寄存器存数控制信号（LDAR）任意，不过最好于，即LDAR=0.防止误按脉冲信号存入数据。于写命令信号（WE）,即WE=0,打开片选信号（CE）,BPCE=O,不需要T3脉冲，即不要按微动开关START此时00000000地址的内容通过“BUSUNIT”中数据显示灯E7-B0显示出来。

216数据2：（55）二（01010101）写入操作过程

1）写地址操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUTDEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为000000012设置有关控制端的开关状态：在实验仪44SWITCHUNIT冲打开输入三态门控制端，即SW-B=0,打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,于片选信号（CE）,写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按下微动开关START即可。于AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0o2）写内容操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUTDEVICE中的8位数据开关D7-D0设置为01010101c设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCHUNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0.于地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0,打开片选信号（CE）和写命令信号（WE）,即CE=0,WE=lo与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000001地址单元中：按下微动开关START即可。于片选信号和写命令信号：CE=l.WE=0。读出操作过程

1）写地址操作：参考写入操作的写地址操作2）读内容操作：于输入三态门控制端，即SW-B=1地址寄存器存数控制信号（LDAR）任意，不过最好于，即LDAR=0.防止误按脉冲信号存入数据。于写命令信号（WE）,即WE=0,打开片选信号（CE）,BPCE=O,不需要T3脉冲，即不要按微动开关START此时00000001地址的内容通过“BUSUNIT”中数据显示灯E7-B0显示出来。数据3：（33）=（00110011）216写入操作过程

1）写地址操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUTDEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000010设置有关控制端的开关状态：在实验仪44SWITCHUNIT冲打开输入三态门控制端，即SW-B=0.打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,于片选信号（CE）,写命令信号（WE）任意，即CE=l,WE=0或lo与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按下微动开关START即可。于AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0o2）写内容操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUTDEVICE中的8位数据开关D7-D0设置为

1.1设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCHUNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0.于地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0,打开片选信号（CE）和写命令信号3（WE）,即CE=0.WE=l与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000010地址单元中：按下微动开关START即可。于片选信号和写命令信号：CE=l.WE=0。读出操作过程

1）写地址操作：具体操作参照写入操作过程的写地址操作过程。

2）读内容操作：于输入三态门控制端，即SW-B=1o地址寄存器存数控制信号（LDAR）任盘，不过最好于，即LDAR=0.防ll：误按脉冲信号存入数据。于写命令信号（WE）,即WE=0,打开片选信号（CE）,即CE=0,不需要T3脉冲，即不要按微动开关STARTo此时00000010地址的内容通过“BUSUNIT中数据显示灯B7-B0显示出来。数据4：（44）16=（01000100）2写入操作过程

1）写地址操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUTDEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000011设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCHUNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0.打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,于片选信号（CE）,写命令信号（WE）任恿，即CE=l,WE=0或1与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按下微动开关START即可。于AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0o2）写内容操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUTDEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为01000100c设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCHUNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0,于地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0,打开片选信号（CE）和写命令信号（WE）,即CE=0,WE=lo与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000011地址单元中：按下微动开关START即可。于片选信号和写命令信号：CE=l.WE=0。读出操作过程

1）写地址操作：具体操作参照写入操作过程的写地址操作过程。

2）读内容操作：于输入三态门控制端，即SW-B=1o地址寄存器存数控制信号（LDAR）任盘，不过最好于，即LDAR=O.防ll：误按脉冲信号存入数据。于写命令信号（WE）,即WE=O,打开片选信号（CE）,即CE=O,不需要T3脉冲，即不要按微动开关STARTo此时00000011地址的内容通过“BUSUNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。数据5：（66）=（01100110）216写入操作过程

1）写地址操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUTDEVICE中的8位数据开关D7-D0设置为00000100o设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCHUNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0.打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,于片选信号（CE）,写命令信号（WE）任恿，即CE=l,WE=0或lo与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按下微动开关START即可。于AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0o2）写内容操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUTDEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为01100110c设置有关控制端的开关状态：在实验仪44SWITCHUNIT冲打开输入三态门控制端，即SW-B=0.于地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0,打开片选信号（CE）和写命令信号（WE）,即CE=0,WE=l与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000100地址单元中：按下微动开关START即可。于片选信号和写命令信号：CE=l,WE=0o读出操作过程

1）写地址操作：操作参照写入操作过程的写地址操作过程。

2）读内容操作：于输入三态门控制端，即SW-B=1O地址寄存器存数控制信号（LDAR）任意，不过最好于，即LDAR=0.防ll：误按脉冲信号存入数据。于写命令信号（WE）,即WE=0,打开片选信号（CE）,即CE=0,不需要T3脉冲，即不要按微动开关STARTo此时00000100地址的内容通过“BUSUNIT中数据显示灯B7-B0。显示岀来数据6：（08）=（00001000）2“写入操作过程

1）写地址操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUTDEVICE中的8位数据开关D7-D0设置为00000101o5设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCHUNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0.打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,于片选信号（CE）,写命令信号（WE）任意，即CE=l,WE=0或1。与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按下微动开关START即可。于AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0o2）写内容操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUTDEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00001000设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCHUNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0.于地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0,打开片选信号（CE）和写命令信号（WE）,即CE=0,WE=lo与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000101地址单元中：按下微动开关START即可。于片选信号和写命令信号：CE=l.WE=0。读出操作过程

1）写地址操作：操作参照写入操作过程的写地址操作过程。

2）读内容操作：于输入三态门控制端，即SW-B=1O地址寄存器存数控制信号（LDAR）任总，不过最好于，即LDAR=0,防ll：误按脉冲信号存入数据。于写命令信号（WE）,即WE=0,打开片选信号（CE）,即CE=0,不需要T3脉冲，即不要按微动开关STARTo此时00000101地址的内容通过“BUSUNIT中数据显示灯B7-B0显示出来。数据7：（F0）=（11110000）216写入操作过程

1）写地址操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUTDEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000110o设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCHUNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0,打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,于片选信号（CE）,写命令信号（WE）任意，即CE=l,WE=0或1。与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按下微动开关START即可。于AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0o2)写内容操作：设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUTDEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为llllOOOOo设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCHUNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0.于地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0,打开片选信号(CE)和写命令信号6(WE),即CE=O,WE=

1.与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000110地址单元中：按下微动开关START即可。CE=l.WE=0于片选信号和写命令信号：读出操作过程

1)写地址操作：参考写入操作的写地址操作过程2)读内容操作：于输入三态门控制端，即SW-B=1地址寄存器存数控制信号(LDAR)任总，不过最好于，即LDAR=0,防ll：误按脉冲信号存入数据。于写命令信号(WE),即WE=0,打开片选信号(CE),BPCE=O,不需要T3脉冲，即不要按微动开关STARTo此时00000110地址的内容通过“BUSUNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。

五、实验结果分析：经过我们组组员的分析比较，各存储单元所写入内容都与读出内容一致，说明实验操作过程正确，实验结果可信。

六、实验总结：(1)这次实验令我加深了对课堂知识的理解，这次我同样能受益匪浅。按课程要求做好实验仪器的连线，有了第一次实验的经验，今次的动作熟练了不少，各个实验步骤都能顺利地完成，并做好了实验记录。这次实验比较容易，所以我很快就完成了。对实验教学的建议：希望实验老师能在实验前把实验原理电路图讲解一下。

(2)这次各个操作步骤都能顺利地完成，如遇到某个地方不懂，参照实验指导书和请教同学和老师都可以解决。

七、思考题：答：(1)应该指定写操作和读操作数据的地址，否则就会不知道把数据存到哪个地址，也不知道从哪个地址读数。

(2)如果不于，机器会就会把写内容操作的数据作为新的地址写入地址寄存器，原地址数据就会失去效力。

(3)总线上是不允许有两个以上部件同时向总线输出数据的,所以当存储器进行读出数据时，应该于三态门控制端SW-B

(4)不能。如果连续输入所有地址，则后输入的数据会把前而的数据覆盖，只有最后一个数据作为地址存入地址寄存器。类似,读出的内容是最后一个地址所存放的内容，而不是所有的内容。